TPC8048-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI-H
Paket: Cut Tape (CT)
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP (5.5x6.0)
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.173\ 4.40mm Width)
Basisproduktnummer: TPC8048