NTE281MCP NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 140 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 700mA, 7A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V
Leistung – Max.: 100 W
Frequenz - Übergang: 5MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3