G5S6504Z Global Power Technology-GPT Einzeldioden

Hersteller: Global Power Technology-GPT
Serie: -
Paket: Cut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Produktstatus: Active
Technologie: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung – DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650 V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io): 15.45A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A
Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr): 0 ns
Strom – Rückwärtsleckstrom @ Vr: 50 µA @ 650 V
Kapazität @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten: 8-DFN (4.9x5.75)
Betriebstemperatur – Sperrschicht: -55°C ~ 175°C