Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Tray
Produktstatus: Active
Struktur: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Anzahl der Thyristoren, Dioden: 3 SCRs, 3 Diodes
Spannung – Aus-Zustand: 1.6 kV
Strom – Eingeschalteter Zustand (It (RMS)) (Max): 70 A
Spannung – Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Strom – Gate-Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Strom - Nicht repräsentativer Stoß 50, 60 Hz (Itsm): 650A @ 50Hz
Strom - Halten (Ih) (Max): 200 mA
Betriebstemperatur: 125°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Basisproduktnummer: TDB6HK
