Menü

MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Bipolare HF-Transistoren

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
Angebot anfordern

Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.3V
Frequenz - Übergang: 12.5GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Gewinnen: 11.8dB
Leistung – Max.: 800mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten: S-Mini
Basisproduktnummer: MT3S113

Datasheet

Abbrechen Senden
Bewertung veröffentlichen
Erste Bewertung veröffentlichen
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}