NTE319 NTE Electronics, Inc Bipolare HF-Transistoren

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V
Frequenz - Übergang: -
Rauschmaß (dB Typ @ f): 2.7dB @ 45MHz
Gewinnen: 29dB
Leistung – Max.: 175mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): -
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-72