NTE299 NTE Electronics, Inc Bipolare HF-Transistoren

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V
Frequenz - Übergang: -
Rauschmaß (dB Typ @ f): -
Gewinnen: -
Leistung – Max.: 4W
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A
Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-202 Long Tab
Gerätepaket des Lieferanten: TO-202