NESG340033-T1B-A Renesas Electronics Corporation Bipolare HF-Transistoren

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V
Frequenz - Übergang: 10GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 0.7dB @ 1GHz
Gewinnen: 12dB
Leistung – Max.: 480mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 15mA, 3.3V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400mA
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Grad: -
Qualifikation: -
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten: 3-MINIMOLD