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MPSH10 NTE Electronics, Inc Bipolare HF-Transistoren

MPSH10 NTE Electronics, Inc Bipolare HF-Transistoren

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Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Verpackung: Bag
Teilestatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V
Frequenz - Übergang: 650MHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): -
Gewinnen: -
Leistung – Max.: 350mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole

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