NESG2101M05-T1-A Renesas Electronics Corporation Bipolare HF-Transistoren

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Verpackung: Bulk
Teilestatus: Obsolete
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V
Frequenz - Übergang: 17GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinnen: 11dB ~ 19dB
Leistung – Max.: 500mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-343F
Gerätepaket des Lieferanten: M05