PEMF21,115 NXP Semiconductors Vorgespannte bipolare Transistor-Arrays

Hersteller: NXP Semiconductors
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, 12V
Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
Frequenz - Übergang: 280MHz
Leistung – Max.: 300mW
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-666