PUMB10,115 NXP USA Inc. Vorgespannte bipolare Transistor-Arrays

Hersteller: NXP USA Inc.
Serie: -
Verpackung: Bulk
Teilestatus: Active
Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V
Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA
Frequenz - Übergang: 180MHz
Leistung – Max.: 300mW
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-363
Basisproduktnummer: PUMB10