NTE128 NTE Electronics, Inc Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Leistung – Max.: 800 mW
Frequenz - Übergang: 400MHz
Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-39