NTE306 NTE Electronics, Inc Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 98 @ 100mA, 2V
Leistung – Max.: 950 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-202 Long Tab
Gerätepaket des Lieferanten: TO-202