NTE2321 NTE Electronics, Inc Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Leistung – Max.: 650 mW
Frequenz - Übergang: 350MHz
Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: 14-DIP (0.300\ 7.62mm)
Gerätepaket des Lieferanten: 14-DIP