NTE297 NTE Electronics, Inc Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Leistung – Max.: 1 W
Frequenz - Übergang: 120MHz
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92