PN3638A NTE Electronics, Inc Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 35nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 2V
Leistung – Max.: 625 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92-3