PBSS5612PA,115 NXP Semiconductors Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller: NXP Semiconductors
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V
Leistung – Max.: 2.1 W
Frequenz - Übergang: 60MHz
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 3-PowerUDFN
Gerätepaket des Lieferanten: 3-HUSON (2x2)