2SB1150-AZ Renesas Electronics Corporation Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V
Leistung – Max.: 1.3 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-126