2N657S Microchip Technology Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Leistung – Max.: 600 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-5AA