NTE158 NTE Electronics, Inc Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Verpackung: Bag
Teilestatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 1V
Leistung – Max.: 550 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-1-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-1