NTE2323 NTE Electronics, Inc Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Verpackung: Bag
Teilestatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Leistung – Max.: 750 mW
Frequenz - Übergang: 80MHz
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: 14-DIP (0.300\ 7.62mm)
Gerätepaket des Lieferanten: 14-DIP