RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne vorgespannte Bipolartransistoren

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
Leistung – Max.: 150 mW
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-723
Gerätepaket des Lieferanten: VESM
Basisproduktnummer: RN1102