KA4A3Q-T1-A Renesas Electronics Corporation Einzelne vorgespannte Bipolartransistoren

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Verpackung: Bulk
Teilestatus: Active
Transistortyp: NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
Leistung – Max.: 200 mW
Grad: -
Qualifikation: -
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SC-75, SOT-416
Gerätepaket des Lieferanten: SC-75