Hersteller: onsemi
Serie: -
Verpackung: Bulk
Teilestatus: Active
Transistortyp: NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 40mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
Frequenz - Übergang: 250 MHz
Leistung – Max.: 300 mW
Grad: -
Qualifikation: -
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: 3-SSIP
Gerätepaket des Lieferanten: 3-SPA
