DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.9A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 841pF @ 10V
Leistung – Max.: 870mW
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-TSSOP
Basisproduktnummer: DMG8822