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DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated FET-MOSFET-Arrays

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
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Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Leistung – Max.: 770mW
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten: V-DFN3020-8 (Type N)
Basisproduktnummer: DMN3035

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  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
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    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}