DMN33D8LDW-13 Diodes Incorporated FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 250mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Leistung – Max.: 350mW
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-363
Basisproduktnummer: DMN33