DMN2010UDZ-7 Diodes Incorporated FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Produktstatus: Obsolete
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 11A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2665pF @ 10V
Leistung – Max.: 700mW
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten: U-DFN2535-6
Basisproduktnummer: DMN2010