DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Leistung – Max.: 780mW
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-TSSOP
Basisproduktnummer: DMN2019