DMN3032LFDB-13 Diodes Incorporated FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Leistung – Max.: 1W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten: U-DFN2020-6 (Type B)
Basisproduktnummer: DMN3032