ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Leistung – Max.: 1.8W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SO
Basisproduktnummer: ZXMN2