EPC2110ENGRT EPC FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: EPC
Serie: eGaN®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Leistung – Max.: -
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: Die
Gerätepaket des Lieferanten: Die
Basisproduktnummer: EPC211