EPC2108 EPC FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: EPC
Serie: eGaN®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.7A, 500mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Leistung – Max.: -
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 9-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten: 9-BGA (1.35x1.35)
Basisproduktnummer: EPC210