EPC2105 EPC FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: EPC
Serie: eGaN®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguration: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9.5A, 38A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Leistung – Max.: -
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: Die
Gerätepaket des Lieferanten: Die
Basisproduktnummer: EPC210