BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 19A, 33A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Leistung – Max.: 2.5W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TISON-8
Basisproduktnummer: BSG0813