Menü

AUIRFN8458TR Infineon Technologies FET-MOSFET-Arrays

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
Angebot anfordern

Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Last Time Buy
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 43A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V
Leistung – Max.: 34W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten: PQFN (5x6)
Basisproduktnummer: AUIRFN8458

Datasheet

Abbrechen Senden
Bewertung veröffentlichen
Erste Bewertung veröffentlichen
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}