BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: N and P-Channel Complementary
FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.1A, 3.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Leistung – Max.: 2.5W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TSDSON-8-FL
Basisproduktnummer: BSZ15DC02