DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC??
Paket: Tray
Produktstatus: Obsolete
Technologie: Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 25A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
Leistung – Max.: -
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: AG-EASY1BM-2
Basisproduktnummer: DF23MR12