IRF7341GTRPBF Infineon Technologies FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Leistung – Max.: 2.4W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SO
Basisproduktnummer: IRF734