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IRF7507TRPBF Infineon Technologies FET-MOSFET-Arrays

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
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Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
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Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Produktstatus: Last Time Buy
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: N and P-Channel
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.4A, 1.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Leistung – Max.: 1.25W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118\ 3.00mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: Micro8??

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  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
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    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}