IRF9389TRPBF Infineon Technologies FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: N and P-Channel
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6.8A, 4.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Leistung – Max.: 2W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SO
Basisproduktnummer: IRF9389