IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Leistung – Max.: 1.5W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten: 6-PQFN Dual (2x2)
Basisproduktnummer: IRLHS6376