RJK03P7DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A, 30A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Leistung – Max.: 10W, 20W
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-WFDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten: 8-WPAK
Basisproduktnummer: RJK03P7