SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Leistung – Max.: 2W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-WDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten: 6-µDFN (2x2)
Basisproduktnummer: SSM6N68