SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Not For New Designs
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: N and P-Channel
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Leistung – Max.: 150mW
Betriebstemperatur: 150°C (TA)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten: ES6
Basisproduktnummer: SSM6L16