SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 250mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Leistung – Max.: 250mW
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten: ES6
Basisproduktnummer: SSM6N35