SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIII
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 500mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Leistung – Max.: 500mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten: UF6
Basisproduktnummer: SSM6N24