SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Leistung – Max.: 200mW
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten: US6
Basisproduktnummer: SSM6N16