SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: N and P-Channel
FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 800mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Leistung – Max.: 500mW
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten: UF6
Basisproduktnummer: SSM6L39